| Titolo | Analisi della correlazione tra i parametri di processo di fabbricazione di strati sottili di ossido di silicio in dispositivi in GaAs e loro proprietà elettriche” Responsabile Prof. RUBINO |
| Struttura | Dipartimento di Ingegneria Industriale/DIIN |
| Scadenza | 24 Agosto 2020 alle ore 12:00 SCADUTO |
| Destinatari | Possessori Laurea triennale in Ingegneria Elettronica ed iscrizione alla laurea Magistrale in Ingegneria Elettronica |
| Numero Posti | 1 |
| Decreto | n. 562 del 6 Agosto 2020 |
| Protocollo | n. 222794 del 6 Agosto 2020 |
| Repertorio | n. 561 / 2020 |
